Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника

Проста сторінка матеріалу
dc.contributor.author Ковальов, Леонід Євгенійович
dc.contributor.author Kovalyov, L. E.
dc.date.accessioned 2016-01-28T15:33:53Z
dc.date.available 2016-01-28T15:33:53Z
dc.date.issued 1990
dc.description.abstract Согласно способу осуществляют предварительное возбуждение полупроводника облучением светом с различными длинами волн из области фоточувствительности и последующее облучение полупроводника излучением с длинами волн, не равными длине волны предварительного облучения. uk_UA
dc.identifier.citation Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1597039 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4604171/31-25; Заявл. 9.11.88; Опубл. 1.06.90. uk_UA
dc.identifier.uri http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/2046
dc.language.iso ru_RU uk_UA
dc.publisher ВНИИПИ uk_UA
dc.subject полупроводник uk_UA
dc.subject фотоемкость uk_UA
dc.subject локальный уровень uk_UA
dc.subject релаксационная зависимость uk_UA
dc.subject фотопроводимость uk_UA
dc.subject спектральная зависимость uk_UA
dc.title Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника uk_UA
dc.type Нормативний документ uk_UA
Файли
Вихідний пакет
Зараз показується 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Ім'я:
A_S_039.pdf
Розмір:
860.84 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Набір ліцензій
Зараз показується 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Ім'я:
license.txt
Розмір:
7.14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Колекції
Кафедра математики та фізики