Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
Немає доступних мініатюр
Файли
Дата
1990
Автори
Ковальов, Леонід Євгенійович
Kovalyov, L. E.
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавець
ВНИИПИ
Інструкція
Согласно способу осуществляют предварительное возбуждение полупроводника облучением светом с различными длинами волн из области фоточувствительности и последующее облучение полупроводника излучением с длинами волн, не равными длине волны предварительного облучения.
Опис
Ключові слова
полупроводник,
фотоемкость,
локальный уровень,
релаксационная зависимость,
фотопроводимость,
спектральная зависимость
Бібліографічний опис
Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1597039 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4604171/31-25; Заявл. 9.11.88; Опубл. 1.06.90.