Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/1088
Название: Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку
Другие названия: Исследование диэлектрической релаксации в высокоомном селениде цинка
Авторы: Ковальов, Леонід Євгенійович
Kovalyov, L. E.
Ключевые слова: селенид цинка
диаграмма Коула
диэлектрическая проницаемость
фоновые примеси
Дата публикации: 2003
Издатель: ДОВ "Вінниця"
Библиографическое описание: Ковальов Л.Є., Краснобокий Ю.М. Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції „Структурна релаксація у твердих тілах”. – Вінниця. – 2003. – С. 146-148.
Краткий обзор (реферат): Исследование диэлектрических характеристик кристаллов высокоомного ZnSe в диапазоне частот 0.01 Гц - 1 МГц и температур 130 - 450 К позволило сделать вывод, что исходные кристаллы характеризуются неоднородным распределением фоновых примесей и собственных дефектов, что приводит к возникновению областей с различной электропроводностью.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/1088
ISBN: 966-527-111-3
Располагается в коллекциях:Наукові матеріали кафедри

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Diel_Vin_2003.pdfСтаття665,22 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.