Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку

Проста сторінка матеріалу
dc.contributor.author Ковальов, Леонід Євгенійович
dc.contributor.author Kovalyov, L. E.
dc.date.accessioned 2015-12-14T17:03:11Z
dc.date.available 2015-12-14T17:03:11Z
dc.date.issued 2003
dc.description.abstract Исследование диэлектрических характеристик кристаллов высокоомного ZnSe в диапазоне частот 0.01 Гц - 1 МГц и температур 130 - 450 К позволило сделать вывод, что исходные кристаллы характеризуются неоднородным распределением фоновых примесей и собственных дефектов, что приводит к возникновению областей с различной электропроводностью. uk_UA
dc.identifier.citation Ковальов Л.Є., Краснобокий Ю.М. Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції „Структурна релаксація у твердих тілах”. – Вінниця. – 2003. – С. 146-148. uk_UA
dc.identifier.isbn 966-527-111-3
dc.identifier.uri http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/1088
dc.language.iso uk_UA uk_UA
dc.publisher ДОВ "Вінниця" uk_UA
dc.subject селенид цинка uk_UA
dc.subject диаграмма Коула uk_UA
dc.subject диэлектрическая проницаемость uk_UA
dc.subject фоновые примеси uk_UA
dc.title Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку uk_UA
dc.title.alternative Исследование диэлектрической релаксации в высокоомном селениде цинка uk_UA
dc.type Стаття uk_UA
Файли
Вихідний пакет
Зараз показується 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Ім'я:
Diel_Vin_2003.pdf
Розмір:
665.22 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття
Завантажити
Набір ліцензій
Зараз показується 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Ім'я:
license.txt
Розмір:
7.14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Колекції
Кафедра математики та фізики