Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника

dc.contributor.author Ковальов, Леонід Євгенійович
dc.contributor.author Kovalyov, L. E.
dc.date.accessioned 2016-01-28T15:08:51Z
dc.date.available 2016-01-28T15:08:51Z
dc.date.issued 1990
dc.description.abstract Полупроводник предварительно возбуждают электромагнитным излучением из области примесного и собственного поглощения. Затем облучают вторично и измеряют зависимость от длины волны интенсивности облучения при постоянном значении фотопроводимости. uk_UA
dc.identifier.citation Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1589945 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4438996/31-25; Заявл. 10.06.88; Опубл. 1.05.90. uk_UA
dc.identifier.uri http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/2045
dc.language.iso ru_RU uk_UA
dc.publisher ВНИИПИ uk_UA
dc.subject полупроводник uk_UA
dc.subject фотопроводимость uk_UA
dc.subject запрещенная зона uk_UA
dc.subject локальный уровень uk_UA
dc.subject неравновесное состояние uk_UA
dc.subject спектральная зависимость uk_UA
dc.title Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника uk_UA
dc.type Нормативний документ uk_UA
Файли
Вихідний пакет
Зараз показується 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Ім'я:
A_S_945.pdf
Розмір:
871.57 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Набір ліцензій
Зараз показується 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Ім'я:
license.txt
Розмір:
7.14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: