Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/2045
Название: Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
Авторы: Ковальов, Леонід Євгенійович
Kovalyov, L. E.
Ключевые слова: полупроводник
фотопроводимость
запрещенная зона
локальный уровень
неравновесное состояние
спектральная зависимость
Дата публикации: 1990
Издатель: ВНИИПИ
Библиографическое описание: Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1589945 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4438996/31-25; Заявл. 10.06.88; Опубл. 1.05.90.
Краткий обзор (реферат): Полупроводник предварительно возбуждают электромагнитным излучением из области примесного и собственного поглощения. Затем облучают вторично и измеряют зависимость от длины волны интенсивности облучения при постоянном значении фотопроводимости.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/2045
Располагается в коллекциях:Наукові матеріали кафедри

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
A_S_945.pdf871,57 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.