Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
Немає доступних мініатюр
Файли
Дата
1990
Автори
Ковальов, Леонід Євгенійович
Kovalyov, L. E.
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавець
ВНИИПИ
Інструкція
Полупроводник предварительно возбуждают электромагнитным излучением из области примесного и собственного поглощения. Затем облучают вторично и измеряют зависимость от длины волны интенсивности облучения при постоянном значении фотопроводимости.
Опис
Ключові слова
полупроводник,
фотопроводимость,
запрещенная зона,
локальный уровень,
неравновесное состояние,
спектральная зависимость
Бібліографічний опис
Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1589945 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4438996/31-25; Заявл. 10.06.88; Опубл. 1.05.90.